Yb：YAG–1030 Nm Laser Crystal Vật liệu hoạt động bằng Laser đầy hứa hẹn
Mô tả Sản phẩm
Tinh thể Yb:YAG dự kiến sẽ thay thế tinh thể Nd:YAG cho các laser bơm đi-ốt công suất cao và các ứng dụng tiềm năng khác.
Yb:YAG cho thấy nhiều hứa hẹn là vật liệu laser công suất cao.Một số ứng dụng đang được phát triển trong lĩnh vực laser công nghiệp, chẳng hạn như cắt và hàn kim loại.Với Yb:YAG chất lượng cao hiện đã có sẵn, các lĩnh vực và ứng dụng bổ sung đang được khám phá.
Ưu điểm của Yb: YAG Crystal
● Tỷ lệ gia nhiệt rất thấp, dưới 11%
● Hiệu quả độ dốc rất cao
● Dải hấp thụ rộng, khoảng 8nm@940nm
● Không có sự hấp thụ hoặc chuyển đổi trạng thái kích thích
● Được bơm thuận tiện bằng điốt InGaAs đáng tin cậy ở bước sóng 940nm (hoặc 970nm)
● Độ dẫn nhiệt cao và độ bền cơ học lớn
● Chất lượng quang học cao
Các ứng dụng
Với dải bơm rộng và mặt cắt phát xạ tuyệt vời Yb: YAG là tinh thể lý tưởng để bơm điốt.
Công suất đầu ra cao 1,029 1mm
Vật liệu Laser để bơm Diode
Gia công, hàn và cắt vật liệu
Các tính chất cơ bản
| Công thức hóa học | Y3Al5O12:Yb (0,1% đến 15% Yb) |
| Cấu trúc tinh thể | khối |
| Bước sóng đầu ra | 1,029 ừm |
| Hành động laze | Laser 3 cấp độ |
| Thời gian phát thải | 951 chúng tôi |
| Chỉ số khúc xạ | 1,8 @ 632nm |
| Dải hấp thụ | 930nm đến 945nm |
| Bước sóng bơm | 940nm |
| Dải hấp thụ về bước sóng bơm | 10nm |
| Độ nóng chảy | 1970°C |
| Tỉ trọng | 4,56 g/cm3 |
| Độ cứng Mohs | 8,5 |
| Hằng số mạng | 12,01Ä |
| Hệ số giãn nở nhiệt | 7,8x10-6 /K , [111], 0-250°C |
| Dẫn nhiệt | 14 Ws /m /K @ 20°C |
Các thông số kỹ thuật
| tên sản phẩm | Yb: YAG |
| Định hướng | trong vòng 5° |
| Đường kính | 3mm đến 10mm |
| Dung sai đường kính | +0,0 mm/- 0,05 mm |
| Chiều dài | 30 mm đến 150 mm |
| Dung sai chiều dài | ± 0,75mm |
| Độ vuông góc của các mặt cuối | 5 phút cung |
| Sự song song của các mặt cuối | 10 giây cung |
| Độ phẳng | Tối đa 0,1 sóng |
| Bề mặt hoàn thiện ở mức 5X | 20-10 (cào & đào) |
| Kết thúc thùng | 400 hạt sạn |
| Mặt vát cuối | 0,075 mm đến 0,12 mm ở góc 45° |
| Khoai tây chiên | Không được phép có chip trên mặt cuối của thanh;phoi có chiều dài tối đa 0,3 mm được phép nằm trong diện tích bề mặt vát và thùng. |
| Khẩu độ rõ ràng | Trung ương 95% |
| Lớp phủ | Lớp phủ tiêu chuẩn là AR ở mức 1,029 um với R<0,25% mỗi mặt.Các lớp phủ khác có sẵn. |
