Phủ chân không – Phương pháp phủ tinh thể hiện có
Mô tả sản phẩm
Phương pháp phủ tinh thể hiện có bao gồm: chia một tinh thể lớn thành các tinh thể trung bình có diện tích bằng nhau, sau đó xếp chồng nhiều tinh thể trung bình và liên kết hai tinh thể trung bình liền kề bằng keo; Chia thành nhiều nhóm tinh thể nhỏ có diện tích bằng nhau được xếp chồng một lần nữa; lấy một chồng tinh thể nhỏ và đánh bóng các mặt ngoại vi của nhiều tinh thể nhỏ để thu được các tinh thể nhỏ có mặt cắt tròn; Tách; lấy một trong những tinh thể nhỏ và bôi keo bảo vệ lên các thành bên chu vi của các tinh thể nhỏ; phủ mặt trước và/hoặc mặt sau của các tinh thể nhỏ; loại bỏ keo bảo vệ trên các mặt chu vi của các tinh thể nhỏ để thu được sản phẩm cuối cùng.
Phương pháp xử lý phủ tinh thể hiện tại cần bảo vệ thành bên chu vi của wafer. Đối với wafer nhỏ, khi bôi keo, bề mặt trên và dưới dễ bị bẩn, thao tác không dễ dàng. Sau khi phủ mặt trước và mặt sau của tinh thể, lớp keo bảo vệ cần được rửa sạch, các bước thao tác phức tạp.
Phương pháp
Phương pháp phủ tinh thể bao gồm:
●Theo đường viền cắt được thiết lập sẵn, sử dụng tia laser chiếu từ bề mặt trên của vật liệu nền để thực hiện cắt biến đổi bên trong vật liệu nền để thu được sản phẩm trung gian đầu tiên;
●Phủ bề mặt trên và/hoặc bề mặt dưới của sản phẩm trung gian đầu tiên để thu được sản phẩm trung gian thứ hai;
●Dọc theo đường viền cắt được thiết lập sẵn, bề mặt trên của sản phẩm trung gian thứ hai được vạch và cắt bằng tia laser, sau đó tách tấm wafer ra để tách sản phẩm mục tiêu khỏi phần vật liệu còn sót lại.
